교수소개
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이름
 배철휘
전공
 반도체 소자, 수율·DFM·품질, 공정 AI(FDC/APC)
E-mail
 c.bae@seoultech.ac.kr
학력
2003.05 North Carolina State University 전자공학 공학박사

1997.02 한양대학교 금속공학과 공학석사

1995.02 한양대학교 금속공학과 공학학사
주요 경력
2025.09. ~ 현재 창의융합대학 객원교수

2004.04. ~ 현재 삼성전자 파운드리 수석연구원 (Foundry)

- Advanced CMOS 및 embedded SRAM 기반 소자/공정 개발 (TD/PI)

- 수율(Yield) 향상 및 품질·신뢰성(Quality & Reliability) 개선

- DFM 기반 설계-공정 연계 최적화 및 고객 협업

- 공정 데이터(FDC) 기반 AI 분석 및 공정 최적화 (APC)

2003.05 ~ 2004.02 North Carolina State University 물리학과 Post-doc

- CVD/ALD 기반 Gate oxide 및 MOS 소자 제작 및 특성 연구

1997.03 ~ 1998.08 한국과학기술연구원(KIST) 박막기술센터 위촉연구원

1995.03 ~ 1997.02 한국과학기술연구원(KIST) 세라믹스부 학생연구원
특허
미국 특허 10+건, 논문 30+편 (DFM, CMOS, SRAM, ALD/CVD, Gate dielectric, Reliability)
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